（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS來控制ID；   
（2）場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。   
（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；  
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；   
（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；  
（6）由于不存在雜亂運動的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低

 產(chǎn)品參數(shù)：
   電流：8A                      電壓：500V ~ 650V
   電阻：0.56Ω~1.16Ω           種類：絕緣柵(MOSFET)
   溝道類型：N溝道               導(dǎo)電方式：增強(qiáng)型
   用途：L/功率放大              材料：N-FET硅N溝道
   開啟電壓： 500（V）           夾斷電壓： 標(biāo)準(zhǔn)（V） 
   跨導(dǎo)： 標(biāo)準(zhǔn)（μS）            極間電容： 標(biāo)準(zhǔn)（pF） 
   低頻噪聲系數(shù)： 標(biāo)準(zhǔn)（dB）     最大漏極電流： 標(biāo)準(zhǔn)（mA） 
   最大耗散功率： 標(biāo)準(zhǔn)（mW）     最大結(jié)溫：150 ℃
   常有封裝：TO-220/220F TO-251/252