最新恒溫一體半導體激光打標機 
半導體泵浦激光器采用半導體發(fā)光二極管作為激光晶體的能量來源（激勵源），用波長808nm半導體發(fā)光二極管泵浦Nd：YAG介質，使介質產(chǎn)生大量的反轉粒子，在Q開關的作用下形成波長為1064nm的巨脈沖激光輸出。因為半導體激光器的電光轉換率較燈泵浦激光器有了較大提高，因而避免了由于發(fā)熱高所造成的輔助設備體積龐大、激光束品質欠佳等問題。是第二代激光器的代表。 
   本產(chǎn)品屬于本公司特別設計，環(huán)境適應性強，不需營造特別工作環(huán)境，在任何環(huán)境下都可正常使用。
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